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SQ3426EEV-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SQ3426EEV-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SQ3426EEV-T1-GE3价格参考。VishaySQ3426EEV-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 7A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP。您可以下载SQ3426EEV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SQ3426EEV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SQ3426EEV-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于需要高效功率控制的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于笔记本电脑、平板和智能手机等便携设备中的电源开关和负载管理,支持高效节能设计。 2. 电池供电系统:在电池充放电管理和电源切换电路中广泛应用,提供低导通电阻和高效率。 3. DC-DC 转换器:用于同步整流和功率转换,提高转换效率,适用于小型电源模块和适配器。 4. 负载开关:控制高电流负载的开启与关闭,如LED背光、电机和风扇等,具备过流和热保护功能。 5. 汽车电子:用于车载电源系统、信息娱乐设备和辅助控制系统,满足汽车环境对可靠性和效率的要求。 该器件采用小尺寸封装,适合空间受限的设计,同时具备良好的热稳定性和快速开关性能,适用于中低功率应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOPMOSFET 60V 7A 5W N-Ch Automotive |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 7 A |
Id-连续漏极电流 | 7 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SQ3426EEV-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SQ3426EEV-T1-GE3SQ3426EEV-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 5 W |
Pd-功率耗散 | 5 W |
Qg-GateCharge | 7.6 nC |
Qg-栅极电荷 | 7.6 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 42 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 42 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 2.5 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 2.5 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 700pF @ 30V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 42 毫欧 @ 5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
其它名称 | SQ3426EEV-T1-GE3DKR |
功率-最大值 | 5W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 42 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
封装/箱体 | TSOP-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 60 V |
漏极连续电流 | 7 A |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/vishay-siliconix-sq-series-mosfet/1181 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7A (Tc) |
零件号别名 | SQ3426EEV-GE3 |