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  • 型号: SQ3426EEV-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SQ3426EEV-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SQ3426EEV-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SQ3426EEV-T1-GE3价格参考。VishaySQ3426EEV-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 7A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP。您可以下载SQ3426EEV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SQ3426EEV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SQ3426EEV-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于需要高效功率控制的场景。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:适用于笔记本电脑、平板和智能手机等便携设备中的电源开关和负载管理,支持高效节能设计。

2. 电池供电系统:在电池充放电管理和电源切换电路中广泛应用,提供低导通电阻和高效率。

3. DC-DC 转换器:用于同步整流和功率转换,提高转换效率,适用于小型电源模块和适配器。

4. 负载开关:控制高电流负载的开启与关闭,如LED背光、电机和风扇等,具备过流和热保护功能。

5. 汽车电子:用于车载电源系统、信息娱乐设备和辅助控制系统,满足汽车环境对可靠性和效率的要求。

该器件采用小尺寸封装,适合空间受限的设计,同时具备良好的热稳定性和快速开关性能,适用于中低功率应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOPMOSFET 60V 7A 5W N-Ch Automotive

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

7 A

Id-连续漏极电流

7 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SQ3426EEV-T1-GE3TrenchFET®

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产品型号

SQ3426EEV-T1-GE3SQ3426EEV-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

5 W

Pd-功率耗散

5 W

Qg-GateCharge

7.6 nC

Qg-栅极电荷

7.6 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

42 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

42 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

2.5 V

Vgs-栅源极击穿电压

2.5 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

700pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

12nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

42 毫欧 @ 5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-TSOP

其它名称

SQ3426EEV-T1-GE3DKR

功率-最大值

5W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

42 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

SC-74,SOT-457

封装/箱体

TSOP-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

7 A

漏源极电压(Vdss)

60V

特色产品

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/vishay-siliconix-sq-series-mosfet/1181

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7A (Tc)

零件号别名

SQ3426EEV-GE3

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