Datasheet下载- 型号： FDN361AN
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDN361AN由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDN361AN价格参考。Fairchild SemiconductorFDN361AN封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDN361AN参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDN361AN 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDN361AN 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，常用于低电压、中等功率的开关应用。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于电池供电设备中的电源开关、负载开关或DC-DC转换器，如笔记本电脑、平板电脑、移动电源等。 2. 电机驱动：用于小型直流电机或步进电机的控制电路中，作为高速开关元件，实现对电机启停和方向的控制。 3. LED照明：在LED驱动电路中作为调光或开关控制器件，适用于智能照明系统或背光控制。 4. 工业控制：用于工业自动化设备中的继电器替代、传感器信号切换或执行器控制。 5. 消费类电子产品：如智能家电、电动工具、无人机等设备中的功率开关或电能控制部分。 该MOSFET具有低导通电阻、小封装、高可靠性等特点，适合空间受限且对效率有要求的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDN361AN |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 220pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 1.8A，10V |
| 供应商器件封装 | 3-SSOT |
| 功率-最大值 | 460mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.8A （Ta） |
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