Datasheet下载- 型号： FQP6N60C_F080
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP6N60C_F080由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP6N60C_F080价格参考。Fairchild SemiconductorFQP6N60C_F080封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQP6N60C_F080参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP6N60C_F080 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP6N60C_F080 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于多种电源管理和功率转换场合。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC转换器、DC-DC转换器等，用于高效能、高频开关操作。 2. 电机驱动：可用于直流电机或步进电机的控制电路中，提供快速开关响应和较低导通损耗。 3. 照明系统：如LED驱动电源中，作为主开关元件，提高能效和可靠性。 4. 逆变器与变频器：用于太阳能逆变器、UPS不间断电源等设备中的功率转换环节。 5. 电池管理系统：在电池充放电控制电路中作为开关使用，具备良好的热稳定性和耐压能力。 该MOSFET具有600V耐压、6A电流能力，采用TO-220封装，具备良好的散热性能和较高的可靠性，适合中功率应用场合。其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低损耗，提高系统效率。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQP6N60C_F080 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 810pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2 欧姆 @ 2.75A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.5A （Tc） |
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