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产品简介:
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FQD7P06TM_NB82050 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款P沟道MOSFET,主要应用于需要高效功率控制的场景。其典型应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、负载开关和电源管理系统,实现高效能和低功耗。 2. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板电脑和便携式电子设备中的电源开关和保护电路。 3. 电机控制:在小型电机驱动电路中作为开关元件,用于控制电机的启停和方向。 4. 负载开关:用于控制高电流负载的通断,如LED照明、加热元件等。 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、车灯控制和辅助电机控制等场景。 该MOSFET具有低导通电阻、高可靠性和小型封装,适合高密度电路设计,广泛用于需要节能和高效能转换的电子系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQD7P06TM_NB82050 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 295pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.2nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 451 毫欧 @ 2.7A,10V |
供应商器件封装 | D-Pak |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.4A (Tc) |