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  • 型号: FQD7P06TM_NB82050
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQD7P06TM_NB82050由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD7P06TM_NB82050价格参考。Fairchild SemiconductorFQD7P06TM_NB82050封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQD7P06TM_NB82050参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQD7P06TM_NB82050 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQD7P06TM_NB82050 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款P沟道MOSFET,主要应用于需要高效功率控制的场景。其典型应用场景包括:

1. 电源管理:用于DC-DC转换器、负载开关和电源管理系统,实现高效能和低功耗。

2. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板电脑和便携式电子设备中的电源开关和保护电路。

3. 电机控制:在小型电机驱动电路中作为开关元件,用于控制电机的启停和方向。

4. 负载开关:用于控制高电流负载的通断,如LED照明、加热元件等。

5. 汽车电子:适用于车载电源系统、车灯控制和辅助电机控制等场景。

该MOSFET具有低导通电阻、高可靠性和小型封装,适合高密度电路设计,广泛用于需要节能和高效能转换的电子系统中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

FQD7P06TM_NB82050

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

QFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

295pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8.2nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

451 毫欧 @ 2.7A,10V

供应商器件封装

D-Pak

功率-最大值

2.5W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.4A (Tc)

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