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PMF3800SN,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMF3800SN,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMF3800SN,115价格参考。NXP SemiconductorsPMF3800SN,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 260mA(Ta) 560mW(Tc) SOT-323-3。您可以下载PMF3800SN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMF3800SN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为PMF3800SN/115的NXP USA Inc.晶体管是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单N沟道MOSFET器件。该器件广泛应用于需要高效、高频开关性能的电子电路中。 PMF3800SN/115的主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、电源稳压模块、电池充电管理电路等,因其具备良好的导通电阻和开关特性,有助于提升电源效率。 2. 负载开关:用于控制电源供应的通断,如在便携式设备中作为电源开关使用,具有低功耗和高可靠性。 3. 马达驱动:在小型电机或风扇控制电路中作为开关元件,适用于家电、工业控制设备等。 4. LED照明驱动:可用于LED背光或照明系统的恒流控制电路中,提供稳定高效的驱动能力。 5. 通信设备:在通信模块的电源控制或信号路径切换中也有应用,特别是在需要高频率操作的场景。 该器件采用SOT23封装,体积小,适合在空间受限的便携设备中使用。其工作温度范围宽,可靠性高,适用于消费类电子产品、工业控制、汽车电子等多个领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | PMF3800SN,115 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.3V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 40pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.85nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.5 欧姆 @ 500mA,10V |
供应商器件封装 | SOT-323 |
其它名称 | 568-11275-6 |
功率-最大值 | 560mW |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 260mA (Ta) |