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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXKP24N60C5由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXKP24N60C5价格参考。IXYSIXKP24N60C5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXKP24N60C5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXKP24N60C5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS公司的IXKP24N60C5是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其主要参数包括:耐压600V,持续漏极电流为24A(在特定条件下),导通电阻较低。该器件适用于多种电力电子应用场景,具体如下: 1. 开关电源(SMPS) - IXKP24N60C5的高耐压特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够在高频条件下高效工作,降低开关损耗,提高电源转换效率。 - 常见应用包括AC-DC适配器、充电器和DC-DC转换器。 2. 电机驱动 - 在工业自动化和家用电器中,该MOSFET可用于驱动中小型电机。低导通电阻有助于减少发热,提高系统的可靠性和效率。 - 应用场景包括风扇、泵、电动工具等。 3. 逆变器 - IXKP24N60C5可应用于光伏逆变器、UPS(不间断电源)和其他类型的逆变器中,作为主功率开关或辅助开关。 - 其高电压耐受能力能够适应复杂的电网环境,确保系统稳定运行。 4. 脉宽调制(PWM)控制器 - 该器件适合用于PWM控制电路,通过快速开关实现精确的电压或电流调节。 - 常见于LED驱动、电池管理等领域。 5. 汽车电子 - 在车载电子设备中,IXKP24N60C5可用于负载切换、继电器替代和电源管理等场合。 - 它能够承受汽车电气系统中的瞬态高压冲击。 6. 其他应用 - 保护电路:如过流保护、短路保护等。 - 能量回收系统:例如制动能量回收中的功率转换模块。 总结 IXKP24N60C5凭借其高耐压、大电流和低导通电阻的特点,广泛应用于各种中高功率的电力电子设备中。选择合适的散热设计和驱动电路可以进一步提升其性能和可靠性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 24A TO220ABMOSFET 24 Amps 600V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 超级结 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 24 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXKP24N60C5CoolMOS™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXKP24N60C5 |
Pd-PowerDissipation | 250 W |
Pd-功率耗散 | 250 W |
RdsOn-漏源导通电阻 | 165 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 790µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2000pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 52nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 165 毫欧 @ 12A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
功率-最大值 | - |
包装 | 管件 |
单位重量 | 2.300 g |
商标 | IXYS |
商标名 | COOLMOS |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 165 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 600 V |
漏极连续电流 | 24 A |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 24A (Tc) |
系列 | IXKP24N60 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |