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Datasheet下载- 型号： FDMC8884
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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FDMC8884产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC8884由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC8884价格参考。Fairchild SemiconductorFDMC8884封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta），15A（Tc） 2.3W（Ta），18W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）。您可以下载FDMC8884参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMC8884 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMC8884是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款MOSFET器件，属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件常用于高效率电源转换和功率管理应用中。 主要应用场景包括： 1. 同步整流：在DC-DC转换器中作为同步整流开关使用，提高转换效率，减少发热。 2. 电源管理模块：用于笔记本电脑、服务器、通信设备等的电源管理系统中，作为高效能开关元件。 3. 负载开关：用于控制电源到负载的通断，实现快速开关操作，如在电池供电设备中控制不同模块的供电。 4. 马达驱动：在小型马达或直流马达控制电路中作为开关元件，适用于电动工具、风扇控制等场合。 5. 电池充电管理：在电池充放电管理系统中作为控制开关，实现高效能充放电路径管理。 6. LED照明驱动：用于LED驱动电路中，作为PWM调光或恒流控制的开关元件。 FDMC8884具有低导通电阻、高开关速度和良好热性能，适合高频开关应用，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 9A POWER33MOSFET 30V N-Channel Power Trench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9 A |
| Id-连续漏极电流 | 9 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMC8884PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMC8884 |
| Pd-PowerDissipation | 2.3 W |
| Pd-功率耗散 | 2.3 W |
| Qg-GateCharge | 5 nC, 10 nC |
| Qg-栅极电荷 | 5 nC, 10 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 19 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 19 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 2 ns |
| 下降时间 | 2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 685pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 19 毫欧 @ 9A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | MLP（3.3x3.3） |
| 其它名称 | FDMC8884TR |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 2.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 200 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-MLP，Power33 |
| 封装/箱体 | MLP-8 3.3X3.3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta）， 15A （Tc） |
| 系列 | FDMC8884 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
