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  • 型号: FDB029N06
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDB029N06产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDB029N06由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB029N06价格参考。Fairchild SemiconductorFDB029N06封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 231W(Tc) D²PAK。您可以下载FDB029N06参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDB029N06 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDB029N06 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,适用于多种电源管理和功率转换应用。其主要应用场景包括:

1. 电源适配器与充电器:用于笔记本电脑、手机等电子设备的开关电源中,实现高效能的直流-直流(DC-DC)转换,提升能源利用效率。

2. 负载开关与电源管理:在服务器、计算机主板、电池管理系统中作为高效负载开关,控制电源通断,降低功耗与发热。

3. 马达驱动:适用于小型电机控制电路,如无人机、电动工具、家电中的直流马达驱动,具备快速开关特性,提升响应速度。

4. LED照明驱动:用于LED灯串或背光系统的恒流驱动电路,实现亮度调节与高效能运作。

5. 消费电子产品:广泛应用于智能家电、音响设备、游戏机等产品中,作为高频开关元件,支持紧凑型电源设计。

该MOSFET具备低导通电阻(Rds(on))、高开关速度与小型封装(如PowerPAK SO-8),适合高密度PCB布局,兼顾性能与空间限制,适用于中低功率应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKMOSFET NCH 60V 2.9Mohm

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

193 A

Id-连续漏极电流

193 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB029N06PowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDB029N06

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

231 W

Pd-功率耗散

231 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.4 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

2.4 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

上升时间

178 ns

下降时间

33 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

9815pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

151nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.1 毫欧 @ 75A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D²PAK

其它名称

FDB029N06TR

典型关闭延迟时间

54 ns

功率-最大值

231W

包装

带卷 (TR)

单位重量

1.762 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-3

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

800

正向跨导-最小值

154 S

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

120A (Tc)

系列

FDB029N06

配置

Single

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