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FDB029N06产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB029N06由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB029N06价格参考。Fairchild SemiconductorFDB029N06封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 120A(Tc) 231W(Tc) D²PAK。您可以下载FDB029N06参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDB029N06 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB029N06 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,适用于多种电源管理和功率转换应用。其主要应用场景包括: 1. 电源适配器与充电器:用于笔记本电脑、手机等电子设备的开关电源中,实现高效能的直流-直流(DC-DC)转换,提升能源利用效率。 2. 负载开关与电源管理:在服务器、计算机主板、电池管理系统中作为高效负载开关,控制电源通断,降低功耗与发热。 3. 马达驱动:适用于小型电机控制电路,如无人机、电动工具、家电中的直流马达驱动,具备快速开关特性,提升响应速度。 4. LED照明驱动:用于LED灯串或背光系统的恒流驱动电路,实现亮度调节与高效能运作。 5. 消费电子产品:广泛应用于智能家电、音响设备、游戏机等产品中,作为高频开关元件,支持紧凑型电源设计。 该MOSFET具备低导通电阻(Rds(on))、高开关速度与小型封装(如PowerPAK SO-8),适合高密度PCB布局,兼顾性能与空间限制,适用于中低功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKMOSFET NCH 60V 2.9Mohm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 193 A |
| Id-连续漏极电流 | 193 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB029N06PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDB029N06 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 231 W |
| Pd-功率耗散 | 231 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| 上升时间 | 178 ns |
| 下降时间 | 33 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9815pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 151nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.1 毫欧 @ 75A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | FDB029N06TR |
| 典型关闭延迟时间 | 54 ns |
| 功率-最大值 | 231W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 单位重量 | 1.762 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 800 |
| 正向跨导-最小值 | 154 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |
| 系列 | FDB029N06 |
| 配置 | Single |