Datasheet下载- 型号： RW1A013ZPT2R
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RW1A013ZPT2R由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RW1A013ZPT2R价格参考。ROHM SemiconductorRW1A013ZPT2R封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RW1A013ZPT2R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RW1A013ZPT2R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RW1A013ZPT2R是罗姆半导体（ROHM Semiconductor）生产的一款N沟道MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），主要用于电源管理和开关应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高效率和小型化封装（如TSMT4），适用于对空间和功耗敏感的便携式电子设备。 其典型应用场景包括：智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品中的负载开关、电池电源管理、DC-DC转换器驱动电路；也可用于LED背光驱动、电源多路复用及各类小型电源开关模块。由于其快速开关特性和低损耗，特别适合高频开关电源设计，有助于提升系统整体能效。 此外，该MOSFET还广泛应用于工业控制设备、家用电器中的电机驱动电路以及需要高效能开关功能的嵌入式系统中。其高可靠性与稳定性也使其适用于环境条件较严苛的场合。 总之，RW1A013ZPT2R凭借其优异的电气性能和紧凑封装，主要服务于高密度、低功耗的现代电子设备，在电源控制和信号切换领域发挥重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.5 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RW1A013ZPT2R- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RW1A013ZPT2R |
| Pd-PowerDissipation | 0.7 W |
| Pd-功率耗散 | 700 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 190 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 290pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 260 毫欧 @ 1.3A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-WEMT |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | WEMT-6 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 8,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.5A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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