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产品简介:
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NTLJF3117PTAG 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:该 MOSFET 可用于开关电源、DC-DC 转换器和电压调节模块中,作为高效的开关元件。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少功率损耗,提高整体效率。 2. 电机驱动:在小型电机控制应用中,NTLJF3117PTAG 可用作驱动开关,适用于家用电器、消费电子设备和工业自动化中的低功率电机控制。 3. 负载切换:在便携式设备(如智能手机、平板电脑和笔记本电脑)中,该器件可用于负载切换电路,以实现快速、可靠的电源切换。 4. 电池保护:在电池管理系统中,MOSFET 可用于过流保护和短路保护电路,确保电池的安全运行。 5. 信号切换:在通信和数据传输应用中,NTLJF3117PTAG 可用于高速信号切换,提供低电容和快速开关性能。 6. 汽车电子:在汽车电子系统中,该 MOSFET 可用于各种控制模块,例如车窗升降器、座椅调节器和灯光控制系统。 由于其小型封装(SOT-23)和出色的电气性能,NTLJF3117PTAG 非常适合空间受限的设计,并能有效降低功耗,提高系统的可靠性和效率。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 二极管(隔离式) |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTLJF3117PTAG |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 531pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.2nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 100 毫欧 @ 2A,4.5V |
供应商器件封装 | 6-WDFN(2x2) |
功率-最大值 | 710mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.3A (Ta) |