Datasheet下载- 型号： NTB45N06T4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTB45N06T4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB45N06T4G价格参考。ON SemiconductorNTB45N06T4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTB45N06T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTB45N06T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTB45N06T4G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其应用场景广泛，主要适用于需要高效开关和低导通电阻的电路设计。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理 NTB45N06T4G 适合用于 DC-DC 转换器、降压/升压转换器等电源管理系统中。其低导通电阻（Rds(on) 典型值为 4.3mΩ）能够减少功率损耗，提高效率，特别适合高电流输出的应用。 2. 电机驱动 在小型直流电机或步进电机驱动中，NTB45N06T4G 可用作开关元件。它能够承受较高的电流（连续漏极电流高达 77A），并支持快速开关，满足电机控制的需求。 3. 负载开关 作为负载开关，NTB45N06T4G 可以实现对设备的动态供电管理，例如在消费电子、笔记本电脑或工业设备中，用于控制不同模块的供电状态，降低待机功耗。 4. 电池保护与管理 在电池组中，该 MOSFET 可用于过流保护、短路保护以及充放电控制。其低导通电阻特性有助于减少电池内部发热，延长电池寿命。 5. 逆变器与太阳能系统 在小型逆变器或太阳能微逆变器中，NTB45N06T4G 可用于功率转换电路，将直流电转换为交流电，提供高效的能源利用。 6. 汽车电子 该器件符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车电子应用，如电动助力转向系统（EPS）、空调压缩机控制、LED 灯光驱动等场景，具有良好的可靠性和耐热性。 7. 音频放大器 在 Class D 音频放大器中，NTB45N06T4G 可用作开关元件，实现高效音频信号放大，同时保持较低的失真和热量产生。 总结来说，NTB45N06T4G 凭借其低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度，非常适合应用于高效功率转换、电机驱动、负载开关、电池管理以及汽车电子等领域。这些特点使其成为现代电子设计中不可或缺的组件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 45A D2PAKMOSFET 60V 45A N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 45 A |
| Id-连续漏极电流 | 45 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTB45N06T4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTB45N06T4G |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 125 W |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 26 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 26 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 101 ns |
| 下降时间 | 106 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1725pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 46nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 26 毫欧 @ 22.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | NTB45N06T4GOS |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 功率-最大值 | 2.4W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 800 |
| 正向跨导-最小值 | 16.6 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 45A （Ta） |
| 系列 | NTB45N06 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
