Datasheet下载- 型号： RJK0856DPB-00#J5
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RJK0856DPB-00#J5由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RJK0856DPB-00#J5价格参考。RENESAS ELECTRONICSRJK0856DPB-00#J5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RJK0856DPB-00#J5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RJK0856DPB-00#J5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Renesas Electronics America的RJK0856DPB-00#J5是一款由瑞萨电子生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率MOSFET类别。该器件通常用于需要高效、高频率开关性能的应用场景。 该MOSFET的主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）等，适用于需要高效能和小型化设计的电源系统。 2. 电机控制：在电动工具、家电（如风扇、空调）和工业自动化设备中，用于控制电机的启停与调速。 3. 负载开关：作为高边或低边开关，用于管理电池供电设备中的电源分配，如笔记本电脑、平板电脑和智能家电。 4. 汽车电子：适用于车载充电系统、车身控制模块、LED照明驱动等对可靠性和效率要求较高的汽车应用。 5. 工业控制与自动化：用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器驱动、继电器替代等工业场合。 该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）、高速开关能力和良好的热稳定性，适合高效率和高密度设计需求。其封装形式为HSOP（高散热小外形封装），有助于在高功率应用中实现良好的散热性能。 总之，RJK0856DPB-00#J5适用于对效率、尺寸和可靠性有较高要求的各种中高功率电子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 35A LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RJK0856DPB-00#J5 |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3000pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.9 毫欧 @ 17.5A，10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK |
| 其它名称 | RJK0856DPB-00#J5DKR |
| 功率-最大值 | 65W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Ta） |
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