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产品简介:
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Vishay Siliconix 的 SUM110N04-03P-E3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)类别。该器件具有低导通电阻(RDS(on))、高开关速度和优良的热性能,适用于多种中低电压功率管理场景。 其典型应用场景包括:便携式电子设备(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)中的电源管理与电池开关控制;DC-DC 转换器,用于高效降压或升压电源转换;负载开关电路,实现对子系统的上电/断电控制以节省能耗;电机驱动应用,尤其在小型直流电机或步进电机控制中表现良好;以及各类消费类电子产品和工业控制设备中的开关电源模块。 由于其符合 RoHS 标准且采用节省空间的PowerPAK®封装,SUM110N04-03P-E3 特别适合对尺寸和能效要求较高的高密度电路设计。此外,该器件还具备良好的抗瞬态电流能力和可靠性,可用于需要频繁开关操作的环境。总体而言,这款 MOSFET 广泛应用于需要高效、紧凑和可靠功率开关解决方案的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | SUM110N04-03P-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 150nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.1 毫欧 @ 30A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-263(D2Pak) |
| 其它名称 | SUM110N04-03P-E3DKR |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 110A (Tc) |