ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > STF28NM50N
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
STF28NM50N产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STF28NM50N由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF28NM50N价格参考¥9.90-¥10.87。STMicroelectronicsSTF28NM50N封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 21A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP。您可以下载STF28NM50N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STF28NM50N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STF28NM50N是由STMicroelectronics(意法半导体)生产的单个MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),具体为N沟道增强型功率MOSFET。其应用场景广泛,主要应用于需要高效、可靠电力转换和控制的设备中。 1. 电源管理 STF28NM50N常用于开关电源(SMPS)的设计中。其低导通电阻(Rds(on))特性使得它在高电流应用中表现出色,能够有效降低功耗并提高效率。适用于笔记本电脑适配器、服务器电源、不间断电源(UPS)等设备中的DC-DC转换器和AC-DC转换器。 2. 电机驱动 在电机控制系统中,STF28NM50N可以作为开关元件,用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机(BLDC)。它能够快速响应PWM(脉宽调制)信号,实现精确的速度控制和扭矩调节,广泛应用于电动工具、家用电器、工业自动化等领域。 3. 电池管理系统 该器件适用于电池管理系统的保护电路,如电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)以及便携式电子设备的电池组保护。通过快速切换和低损耗特性,它可以有效防止过充、过放和短路等故障,确保电池的安全性和使用寿命。 4. 逆变器 在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中,STF28NM50N可以用作开关元件,将直流电转换为交流电。其高耐压(500V)和低导通电阻特性使其适合高压环境下的电力转换,适用于家庭光伏系统、分布式发电系统等。 5. 负载开关 在各种电子产品中,STF28NM50N可以用作负载开关,用于控制不同负载的供电状态。例如,在消费电子设备中,它可以用于管理多个功能模块的电源分配,确保设备在待机或关机状态下消耗最小的电流。 总结 STF28NM50N凭借其高性能参数(如低导通电阻、高耐压和快速开关速度),在电源管理、电机驱动、电池管理、逆变器和负载开关等应用场景中表现出色,广泛应用于工业、消费电子和汽车领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 21A TO-220FPMOSFET N-Ch 500V 0.135 Ohm MDmesh II Power MO |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 21 A |
| Id-连续漏极电流 | 21 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF28NM50NMDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STF28NM50N |
| Pd-PowerDissipation | 35 W |
| Pd-功率耗散 | 35 W |
| Qg-GateCharge | 50 nC |
| Qg-栅极电荷 | 50 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 158 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 158 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 19 ns |
| 下降时间 | 52 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1735pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 158 毫欧 @ 10.5A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | 497-12574-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF248424?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 62 ns |
| 功率-最大值 | 35W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 21A (Tc) |
| 系列 | STF28NM50N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |