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Datasheet下载- 型号： FQD1N80TF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD1N80TF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD1N80TF价格参考。Fairchild SemiconductorFQD1N80TF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 800V 1A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak。您可以下载FQD1N80TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD1N80TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD1N80TF 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面：
1. 开关电源 (SMPS)
- FQD1N80TF 的高电压耐受能力（额定 VDS = 800V）使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用，例如：
- 离线式开关电源
- 隔离式 DC-DC 转换器
- PFC（功率因数校正）电路
2. 电机驱动
- 在需要高压驱动的电机控制场景中，该器件可以作为开关元件使用，适用于：
- 家电中的高压电机驱动（如空调压缩机、洗衣机）
- 工业设备中的高压电机控制
3. 逆变器
- 该 MOSFET 可用于太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，实现直流到交流的转换，特别适合高压输入的应用。
4. 电磁阀和继电器驱动
- 在工业自动化领域，FQD1N80TF 可用作电磁阀或继电器的驱动开关，能够承受高电压和瞬态尖峰。
5. 负载切换
- 用于高压负载的通断控制，例如：
- LED 照明系统的高压驱动
- 高压工业设备的负载切换
6. 保护电路
- 在过压、过流保护电路中，该 MOSFET 可以用作快速响应的开关元件，切断异常电流路径，保护下游电路。
特性优势：
- 高耐压：800V 的漏源极击穿电压使其能够在高压环境下稳定工作。
- 低导通电阻：在额定电流范围内提供较低的导通损耗，提高效率。
- 快速开关速度：适合高频开关应用，减少开关损耗。
- 高可靠性：适用于恶劣环境下的长期运行。
综上所述，FQD1N80TF 主要应用于高压、大功率的电子系统中，特别是在需要高效能开关和高电压耐受能力的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 1A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD1N80TF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 195pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 20 欧姆 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1A （Tc） |
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