ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IXKN75N60C
Datasheet下载- 型号： IXKN75N60C
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXKN75N60C由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXKN75N60C价格参考。IXYSIXKN75N60C封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 底座安装 N 沟道 600V 75A（Tc） 560W（Tc） SOT-227B。您可以下载IXKN75N60C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXKN75N60C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS公司生产的IXKN75N60C是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类。该型号的主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：IXKN75N60C具有600V的耐压能力，适合用于高电压环境下的开关电源设计，例如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其低导通电阻（Rds(on)约为0.95Ω，典型值）有助于减少功率损耗，提高效率。 2. 电机驱动：适用于中小功率电机驱动电路，如步进电机、直流无刷电机（BLDC）和有刷直流电机控制。其快速开关特性和耐用性使其能够承受电机启动和停止时的电流冲击。 3. 逆变器：在光伏逆变器或UPS（不间断电源）系统中，IXKN75N60C可用于功率级切换，实现高效的电能转换。其良好的热性能和电气特性确保了系统的稳定运行。 4. 工业控制：用于各种工业自动化设备中的负载开关、继电器替代、固态继电器等应用。它能够可靠地控制高电压和大电流负载，同时具备短路保护功能。 5. 电动车与电动工具：在电动车控制器、电动工具电池管理系统（BMS）中，该器件可以作为主开关或保护元件，提供高效且稳定的电力传输。 6. 脉冲宽度调制（PWM）电路：由于其快速开关速度和低开关损耗，IXKN75N60C非常适合用作PWM信号放大器或驱动器中的功率开关。 总之，IXKN75N60C凭借其优异的电气参数和可靠性，广泛应用于需要高性能功率开关的各种领域，尤其是在高电压、中低功率的应用场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227BMOSFET 75 Amps 600V |
| 产品分类 | FET - 模块分离式半导体 |
| FET功能 | 超级结 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 75 A |
| Id-连续漏极电流 | 75 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXKN75N60CCoolMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXKN75N60C |
| Qg-GateCharge | 500 nC |
| Qg-栅极电荷 | 500 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 30 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 30 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.9 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.9V @ 5mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 500nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 36 毫欧 @ 50A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
| 典型关闭延迟时间 | 110 ns |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 38 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 封装/箱体 | SOT-227B-4 |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A |
| 系列 | IXKN75N60 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Source |
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