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SI3458BDV-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3458BDV-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3458BDV-T1-GE3价格参考。VishaySI3458BDV-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 4.1A(Tc) 2W(Ta),3.3W(Tc) 6-TSOP。您可以下载SI3458BDV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI3458BDV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3458BDV-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC转换器:SI3458BDV-T1-GE3 可用于降压或升压 DC-DC 转换器,作为开关元件实现高效的电压调节。 - 负载开关:在便携式设备中,该 MOSFET 可用作负载开关,控制电路的通断,降低功耗。 - 电池管理:适用于锂电池保护电路,提供过流和短路保护功能。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:可用于驱动小型直流电机,通过 PWM(脉宽调制)信号调节电机速度。 - H桥电路:在双方向电机控制中,该 MOSFET 可作为 H 桥的一部分,实现正反转功能。 3. 信号切换 - 高速信号切换:由于其低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,适合用于高频信号切换应用。 - 多路复用器:在需要切换多个输入/输出信号的场景中,可以用作开关元件。 4. 消费电子 - 智能手机和平板电脑:用于内部电源管理和外围设备接口。 - USB充电电路:支持 USB 接口的电流限制和保护功能,确保安全充电。 - 音频放大器:用作功率放大器中的开关元件,提高效率并减少热量产生。 5. 工业应用 - 传感器接口:用于工业传感器的信号调理和功率控制。 - 通信设备:在基站、路由器等设备中,作为高效开关元件,优化电源性能。 6. 汽车电子 - 车载电子系统:如车窗升降器、座椅调节器等小型电机驱动。 - LED 照明控制:用于汽车 LED 灯光的亮度调节和开关控制。 总结 SI3458BDV-T1-GE3 凭借其低导通电阻(典型值为 9.5mΩ)、高电流能力(连续漏极电流高达 17A)以及出色的热性能,非常适合需要高效能和小体积的应用场合。其广泛应用于消费电子、通信设备、工业自动化及汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOPMOSFET 60V 4.1A 3.3W 100mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.2 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?69501 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3458BDV-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI3458BDV-T1-GE3SI3458BDV-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 17 ns, 12 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 100 毫欧 @ 3.2A,10V |
| 产品种类 | N-Channel MOSFETs |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SI3458BDV-T1-GE3-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns, 18 ns |
| 功率-最大值 | 3.3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.1A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI3458BDV-GE3 |