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  • 型号: SI3458BDV-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SI3458BDV-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI3458BDV-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3458BDV-T1-GE3价格参考。VishaySI3458BDV-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 4.1A(Tc) 2W(Ta),3.3W(Tc) 6-TSOP。您可以下载SI3458BDV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI3458BDV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI3458BDV-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是该型号的一些典型应用场景:

 1. 电源管理
   - DC-DC转换器:SI3458BDV-T1-GE3 可用于降压或升压 DC-DC 转换器,作为开关元件实现高效的电压调节。
   - 负载开关:在便携式设备中,该 MOSFET 可用作负载开关,控制电路的通断,降低功耗。
   - 电池管理:适用于锂电池保护电路,提供过流和短路保护功能。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:可用于驱动小型直流电机,通过 PWM(脉宽调制)信号调节电机速度。
   - H桥电路:在双方向电机控制中,该 MOSFET 可作为 H 桥的一部分,实现正反转功能。

 3. 信号切换
   - 高速信号切换:由于其低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,适合用于高频信号切换应用。
   - 多路复用器:在需要切换多个输入/输出信号的场景中,可以用作开关元件。

 4. 消费电子
   - 智能手机和平板电脑:用于内部电源管理和外围设备接口。
   - USB充电电路:支持 USB 接口的电流限制和保护功能,确保安全充电。
   - 音频放大器:用作功率放大器中的开关元件,提高效率并减少热量产生。

 5. 工业应用
   - 传感器接口:用于工业传感器的信号调理和功率控制。
   - 通信设备:在基站、路由器等设备中,作为高效开关元件,优化电源性能。

 6. 汽车电子
   - 车载电子系统:如车窗升降器、座椅调节器等小型电机驱动。
   - LED 照明控制:用于汽车 LED 灯光的亮度调节和开关控制。

 总结
SI3458BDV-T1-GE3 凭借其低导通电阻(典型值为 9.5mΩ)、高电流能力(连续漏极电流高达 17A)以及出色的热性能,非常适合需要高效能和小体积的应用场合。其广泛应用于消费电子、通信设备、工业自动化及汽车电子等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOPMOSFET 60V 4.1A 3.3W 100mohm @ 10V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

3.2 A

Id-连续漏极电流

3.2 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

产品手册

http://www.vishay.com/doc?69501

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3458BDV-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SI3458BDV-T1-GE3SI3458BDV-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

100 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

100 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

17 ns, 12 ns

下降时间

10 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

350pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

11nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

100 毫欧 @ 3.2A,10V

产品种类

N-Channel MOSFETs

供应商器件封装

6-TSOP

其它名称

SI3458BDV-T1-GE3-ND
SI3458BDV-T1-GE3TR
SI3458BDVT1GE3

典型关闭延迟时间

12 ns, 18 ns

功率-最大值

3.3W

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)

封装/箱体

TSOP-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.1A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SI3458BDV-GE3

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