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FDA28N50F产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDA28N50F由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDA28N50F价格参考。Fairchild SemiconductorFDA28N50F封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 28A(Tc) 310W(Tc) TO-3PN。您可以下载FDA28N50F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDA28N50F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDA28N50F 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该器件具有 50V 的额定漏源电压 (VDS) 和低导通电阻 (RDS(on)) 特性,适用于多种功率转换和开关应用。以下是其主要应用场景: 1. 直流电机驱动 FDA28N50F 可用于控制小型直流电机的启动、停止和速度调节。其低 RDS(on) 能够减少功耗并提高效率,适合家用电器(如风扇、泵)或玩具中的电机控制。 2. 开关电源 (SMPS) 在开关模式电源中,该 MOSFET 可用作同步整流器或主开关,提供高效的能量转换。其快速开关特性和低损耗特性使其非常适合于手机充电器、适配器和其他便携式设备的电源设计。 3. 负载开关 作为负载开关,FDA28N50F 可以实现对下游电路的精确控制,例如在 USB 接口供电管理中,确保只有当设备正确连接时才提供电力。 4. 电池保护与管理 该器件可用于锂离子电池组的充放电保护电路中,防止过流、短路或反向电流损坏电池系统。其低导通电阻有助于降低电池保护电路中的能量损失。 5. LED 驱动 在 LED 照明应用中,FDA28N50F 可用作恒流源的一部分,通过 PWM 调光技术调节亮度,同时保持高效率和稳定性。 6. 汽车电子 尽管其电压等级相对较低,但在某些非关键车载应用中(如座椅调节、车窗升降等),FDA28N50F 仍可发挥作用,提供可靠的开关性能。 7. 信号切换 在需要高频信号切换的应用中,该 MOSFET 的快速开关能力可以用来处理音频信号或其他模拟/数字信号的路由。 综上所述,FDA28N50F 凭借其出色的电气特性和紧凑封装,广泛应用于消费类电子产品、工业自动化、通信设备以及汽车电子等领域,满足多样化的功率管理和控制需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PNMOSFET 500V 28A N-Channel |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 28 A |
Id-连续漏极电流 | 28 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDA28N50FUniFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | FDA28N50F |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 310 W |
Pd-功率耗散 | 310 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 175 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 175 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 137 ns |
下降时间 | 101 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5387pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 105nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 175 毫欧 @ 14A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-3PN |
典型关闭延迟时间 | 192 ns |
功率-最大值 | 310W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.401 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
封装/箱体 | TO-3PN-3 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 28A (Tc) |
系列 | FDA28N50 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |