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  • 型号: FDA28N50F
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDA28N50F产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDA28N50F由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDA28N50F价格参考。Fairchild SemiconductorFDA28N50F封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 28A(Tc) 310W(Tc) TO-3PN。您可以下载FDA28N50F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDA28N50F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDA28N50F 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该器件具有 50V 的额定漏源电压 (VDS) 和低导通电阻 (RDS(on)) 特性,适用于多种功率转换和开关应用。以下是其主要应用场景:

1. 直流电机驱动  
   FDA28N50F 可用于控制小型直流电机的启动、停止和速度调节。其低 RDS(on) 能够减少功耗并提高效率,适合家用电器(如风扇、泵)或玩具中的电机控制。

2. 开关电源 (SMPS)  
   在开关模式电源中,该 MOSFET 可用作同步整流器或主开关,提供高效的能量转换。其快速开关特性和低损耗特性使其非常适合于手机充电器、适配器和其他便携式设备的电源设计。

3. 负载开关  
   作为负载开关,FDA28N50F 可以实现对下游电路的精确控制,例如在 USB 接口供电管理中,确保只有当设备正确连接时才提供电力。

4. 电池保护与管理  
   该器件可用于锂离子电池组的充放电保护电路中,防止过流、短路或反向电流损坏电池系统。其低导通电阻有助于降低电池保护电路中的能量损失。

5. LED 驱动  
   在 LED 照明应用中,FDA28N50F 可用作恒流源的一部分,通过 PWM 调光技术调节亮度,同时保持高效率和稳定性。

6. 汽车电子  
   尽管其电压等级相对较低,但在某些非关键车载应用中(如座椅调节、车窗升降等),FDA28N50F 仍可发挥作用,提供可靠的开关性能。

7. 信号切换  
   在需要高频信号切换的应用中,该 MOSFET 的快速开关能力可以用来处理音频信号或其他模拟/数字信号的路由。

综上所述,FDA28N50F 凭借其出色的电气特性和紧凑封装,广泛应用于消费类电子产品、工业自动化、通信设备以及汽车电子等领域,满足多样化的功率管理和控制需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PNMOSFET 500V 28A N-Channel

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

28 A

Id-连续漏极电流

28 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDA28N50FUniFET™

数据手册

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产品型号

FDA28N50F

PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

310 W

Pd-功率耗散

310 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

175 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

175 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

137 ns

下降时间

101 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5387pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

105nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

175 毫欧 @ 14A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-3PN

典型关闭延迟时间

192 ns

功率-最大值

310W

包装

管件

单位重量

6.401 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-3P-3,SC-65-3

封装/箱体

TO-3PN-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

28A (Tc)

系列

FDA28N50

通道模式

Enhancement

配置

Single

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