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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN013-30YLC,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN013-30YLC,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN013-30YLC,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN013-30YLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN013-30YLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN013-30YLC,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类型。该型号具有低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力的特点,因此在多种电力电子应用场景中表现优异。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - PSMN013-30YLC 适用于开关电源中的高频开关应用,例如降压、升压或反激式转换器。 - 其低导通电阻特性可以减少功率损耗,提高效率,适合用于笔记本电脑适配器、手机充电器等设备。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机驱动中,该 MOSFET 可用作开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。 - 常见于家用电器(如风扇、水泵)和工业自动化设备中。 3. 负载切换 - 用于负载切换电路中,能够快速开启或关闭负载电流,同时保持较低的功耗。 - 适用于汽车电子、消费电子产品中的负载管理模块。 4. 电池管理系统 (BMS) - 在电池保护电路中,该 MOSFET 可作为充放电路径的开关,确保电池的安全运行。 - 广泛应用于锂电池组、电动工具和电动汽车的电池管理系统中。 5. LED 驱动 - 用于大功率 LED 照明系统的恒流驱动电路,提供高效的电流控制。 - 适用于路灯、舞台灯光和其他高亮度 LED 应用。 6. 逆变器 - 在小型逆变器中,PSMN013-30YLC 可用作功率级开关元件,将直流电转换为交流电。 - 适用于太阳能逆变器、不间断电源 (UPS) 等设备。 7. 音频放大器 - 在 D 类音频放大器中,该 MOSFET 可用作输出级开关,提供高效的声音信号放大。 - 适合便携式音响设备和家庭影院系统。 总结 PSMN013-30YLC,115 凭借其低 Rds(on)、高电流能力和出色的热性能,广泛应用于各种电力电子领域。其典型应用场景包括开关电源、电机驱动、负载切换、电池管理、LED 驱动、逆变器和音频放大器等。这种 MOSFET 的高性能和可靠性使其成为许多现代电子设备的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 32A LFPAKMOSFET N-CH 30 V 13.6 MOHMS LOGIC LEVEL MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,4.5V 驱动 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 32 A |
Id-连续漏极电流 | 32 A |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN013-30YLC,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PSMN013-30YLC,115 |
Pd-PowerDissipation | 26 W |
Pd-功率耗散 | 26 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 16.9 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 16.9 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.95V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 521pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.3nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 13.6 毫欧 @ 10A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
其它名称 | 568-8528-6 |
功率-最大值 | 26W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
封装/箱体 | SO-8 |
工具箱 | /product-detail/zh/NXPMOSFET-DESIGNKIT/NXPMOSFET-DESIGNKIT-ND/4428862 |
工厂包装数量 | 1500 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 32A (Tc) |