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  • 型号: FDZ375P
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDZ375P产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDZ375P由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDZ375P价格参考。Fairchild SemiconductorFDZ375P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 3.7A(Ta) 1.7W(Ta) 4-WLCSP(1x1)。您可以下载FDZ375P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDZ375P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDZ375P 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于低电压、中等功率的开关应用。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:适用于笔记本电脑、平板电脑、移动电源等便携式电子设备中的电源开关和负载切换,因其低导通电阻(Rds(on))可减少功率损耗,提高能效。

2. 电池供电系统:在电池管理系统(BMS)中作为高边或低边开关,控制电池充放电路径,保护电路免受过流或短路损害。

3. 电机驱动与继电器替代:用于小型直流电机、电磁阀或继电器的电子开关控制,具备快速开关能力和较高可靠性。

4. 负载开关与热插拔控制:在服务器、通信设备中作为负载开关,实现对模块的热插拔控制,防止启动冲击电流。

5. 工业控制与自动化:在工业控制系统中用于控制传感器、执行器或其他外围设备的电源供应。

该器件采用小型封装(如DFN5),适合空间受限的设计,同时具备良好的热性能和耐用性,适合中等电流(通常几安以内)的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 20V WLCSP 1X1MOSFET 20V P-Channel 1.5V Specfied PowerTrench

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平栅极,1.5V 驱动

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 3.7 A

Id-连续漏极电流

- 3.7 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDZ375PPowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDZ375P

Pd-PowerDissipation

1.7 W

Pd-功率耗散

1.7 W

Qg-GateCharge

15 nC

Qg-栅极电荷

15 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

143 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

143 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 1.2 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 1.2 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

865pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

15nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

78 毫欧 @ 2A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

4-WLCSP(1x1)

其它名称

FDZ375PCT

功率-最大值

500mW

包装

剪切带 (CT)

单位重量

68.400 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

4-XFBGA,WLCSP

封装/箱体

WLCSP-4 1x1 Thin

工厂包装数量

5000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

11 S

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.7A (Ta)

系列

FDZ375P

配置

Single

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