Datasheet下载- 型号： STI16N65M5
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STI16N65M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STI16N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTI16N65M5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STI16N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STI16N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STI16N65M5是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效功率转换与控制的场合。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器等，因其高耐压（650V）和较低导通电阻，有助于提高电源效率并减少发热。 2. 电机驱动：可用于工业自动化、电动工具、家用电器中的电机控制电路，提供快速开关和良好热稳定性。 3. 照明系统：如LED驱动器、高频镇流器等，支持高效稳定的电流控制。 4. 工业控制：用于工业设备中的功率开关，如变频器、伺服驱动器等。 5. 新能源应用：如太阳能逆变器、储能系统等，适用于中高功率等级的能量转换。 该器件采用高性能MDmesh™ V技术，具有低栅极电荷和优异的开关性能，适合高频工作环境，同时具备良好的热性能和可靠性，适用于多种高要求应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STI16N65M5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1250pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 279 毫欧 @ 6A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 497-11327-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF247218?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 90W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
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