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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTJS4151PT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTJS4151PT1G价格参考¥0.70-¥0.70。ON SemiconductorNTJS4151PT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTJS4151PT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTJS4151PT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTJS4151PT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括: 1. 开关电源 (SMPS): NTJS4151PT1G 的低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够高效地控制电流的通断,降低能量损耗。 2. 电机驱动: 该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为功率开关来控制电机的启停和转速。其低 Rds(on) 能够减少发热,提高系统效率。 3. 负载开关: 在消费电子设备中,NTJS4151PT1G 可用作负载开关,用于动态管理不同电路模块的供电状态,从而实现节能和保护功能。 4. 电池管理系统 (BMS): 它可以用于锂电池或其他可充电电池的充放电保护电路中,提供过流保护、短路保护以及精确的电流控制。 5. LED 驱动器: 在 LED 照明应用中,这款 MOSFET 可用于驱动高亮度 LED 或 LED 灯条,确保电流稳定并提高能效。 6. 信号放大与缓冲: 由于其出色的电气性能,NTJS4151PT1G 还可以用于信号放大或缓冲电路中,特别是在需要低功耗和高效率的应用场景下。 7. 汽车电子: 在汽车电子领域,该 MOSFET 可用于车载电子设备的电源管理、传感器接口以及小型执行器的控制等。 总结来说,NTJS4151PT1G 凭借其优异的性能参数(如低 Rds(on)、高击穿电压和快速开关速度),广泛适用于各种需要高效功率转换和控制的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.3A SC-88MOSFET -20V -4.2A P-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 4.2 A |
| Id-连续漏极电流 | - 4.2 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTJS4151PT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTJS4151PT1G |
| Pd-PowerDissipation | 1 W |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 180 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 1.7 ns |
| 下降时间 | 4.2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 850pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 60 毫欧 @ 3.3A,4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其它名称 | NTJS4151PT1GOS |
| 典型关闭延迟时间 | 2.7 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 功率耗散 | 1 W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 180 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-88-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 12 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 4.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.3A (Ta) |
| 系列 | NTJS4151P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
| 闸/源击穿电压 | +/- 12 V |