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产品简介:
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Infineon Technologies(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,其产品广泛应用于汽车、工业、通信和消费电子等领域。 型号为 IRF2805STRRPBF 的是一款 N沟道功率MOSFET,属于晶体管中的FET类别。该器件具有高耐压、大电流承载能力和低导通电阻的特点,适用于高效能功率转换和控制应用。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)中,用于高效能电能转换。 2. 电机驱动:在电动工具、家用电器和工业自动化设备中,作为电机控制开关使用。 3. 电池管理系统(BMS):用于电动汽车或储能系统中,实现电池充放电控制与保护。 4. 照明系统:如LED驱动电源中,作为高频开关元件,提高能效。 5. 消费电子:如笔记本电脑、游戏机、智能电视等设备中的电源模块。 该MOSFET采用表面贴装封装(如D2PAK),便于自动化生产和良好散热,适用于中高功率应用场景。由于其可靠性和高效性,IRF2805STRRPBF被广泛应用于各类工业与消费类电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF2805STRRPBF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5110pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 230nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.7 毫欧 @ 104A,10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 200W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 135A (Tc) |