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Datasheet下载- 型号： STF23NM50N
- 制造商： STMicroelectronics
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STF23NM50N产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STF23NM50N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF23NM50N价格参考。STMicroelectronicsSTF23NM50N封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 500V 17A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP。您可以下载STF23NM50N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STF23NM50N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STF23NM50N是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器等，因其具备低导通电阻和高耐压特性，有助于提升电源效率并减少发热。 2. 电机驱动：在工业自动化和家电中的直流电机或步进电机控制电路中作为功率开关使用，提供快速响应与稳定输出。 3. 逆变器与UPS系统：用于不间断电源（UPS）及光伏逆变器中，支持将直流电转换为交流电的过程，确保能量转换效率与系统稳定性。 4. 照明系统：在LED照明驱动电路中应用，尤其是高亮度LED或智能调光系统，实现精准电流控制与节能效果。 5. 汽车电子：如车载充电器、电动工具及电池管理系统（BMS），满足车用环境对耐用性和安全性的高要求。 该器件具有高雪崩耐受能力与良好的热性能，适合在较为严苛的工作条件下运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 550V 17A TO-220FPMOSFET N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 17 A |
| Id-连续漏极电流 | 17 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF23NM50NMDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STF23NM50N |
| Pd-PowerDissipation | 30 W |
| Pd-功率耗散 | 30 W |
| Qg-GateCharge | 45 nC |
| Qg-栅极电荷 | 45 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 190 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 19 ns |
| 下降时间 | 29 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1330pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 190 毫欧 @ 8.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | 497-12573-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF250140?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 71 ns |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 17A （Tc） |
| 系列 | STF23NM50N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
