Datasheet下载- 型号： DMN3112S-7
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN3112S-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN3112S-7价格参考。Diodes Inc.DMN3112S-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN3112S-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN3112S-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated 的 DMN3112S-7 是一款N沟道MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于中小功率电子设备中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于便携式设备（如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机）的电池供电电路中，作为负载开关或电源通断控制，具有低导通电阻（典型值约85mΩ），可减少功耗，提升能效。 2. DC-DC转换电路：在降压（Buck）或升压（Boost）转换器中作为同步整流或开关元件，适用于低电压、中等电流的电源模块，提高转换效率。 3. 电机驱动：用于微型直流电机或步进电机的驱动电路，控制小型家电、玩具或办公设备中的电机启停与转向。 4. LED驱动与照明控制：在LED调光或开关控制电路中作为功率开关，实现高效、快速响应的亮度调节。 5. 信号开关与逻辑控制：在数字电路中用作高速开关，替代机械继电器，实现信号通断或电平切换。 6. 消费类电子产品：广泛应用于家用电器、充电器、USB接口保护电路等，提供过流保护或热插拔控制功能。 DMN3112S-7采用SOT-23小封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，工作电压适中（VDS=20V，VGS=±8V），具备良好的热稳定性和可靠性，是许多低功耗、高效率设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3MOSFET N-Ch FET 30V 20A 57mOhm 10V VGS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.8 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN3112S-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN3112S-7 |
| PCN其它 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.4 W |
| Pd-功率耗散 | 1.4 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 92 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 92 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.9 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 268pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 57 毫欧 @ 5.8A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | DMN3112SDIDKR |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 4.7 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.8A （Ta） |
| 系列 | DMN3112S |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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