Datasheet下载- 型号： ZXMP10A18KTC
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMP10A18KTC由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMP10A18KTC价格参考￥4.89-￥6.11。Diodes Inc.ZXMP10A18KTC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXMP10A18KTC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMP10A18KTC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXMP10A18KTC 是由 Diodes 公司生产的一款 P 沙漠型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高效能开关操作的电路中。这款器件因其高可靠性、快速开关速度和低导通电阻特性，被广泛应用于多个领域。 首先，在电源管理系统中，如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，ZXMP10A18KTC 可以有效提高能源效率并减少功率损耗。其次，它也适用于电机控制与驱动电路，例如在小型电机或继电器驱动中提供稳定的开关功能。 此外，该器件还适合用于电池供电设备中的电源管理模块，如笔记本电脑、平板电脑、移动电源等便携式电子产品，有助于延长电池寿命。在工业自动化和控制系统中，ZXMP10A18KTC 也可作为高频开关元件使用，提升系统响应速度和稳定性。 总之，ZXMP10A18KTC 凭借其优异的电气性能和广泛的适用性，成为众多中小型功率电子系统设计中的优选MOSFET器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAKMOSFET P-Ch 100 Volt 5.2A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 3.8 A |
| Id-连续漏极电流 | - 3.8 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMP10A18KTC- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMP10A18KTC |
| PCN其它 | |
| Pd-PowerDissipation | 10.2 W |
| Pd-功率耗散 | 10.2 W |
| Qg-GateCharge | 26.9 nC |
| Qg-栅极电荷 | 26.9 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 190 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 4 V |
| 上升时间 | 6.8 ns |
| 下降时间 | 17.9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1055pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26.9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 150 毫欧 @ 2.8A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252-3 |
| 其它名称 | ZXMP10A18KTCTR |
| 典型关闭延迟时间 | 33.9 ns |
| 功率-最大值 | 2.17W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 正向跨导-最小值 | 6 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.8A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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