【未分类_NTMFS4C05NT1G】封装/厂家_NTMFS4C05NT1G中文资料_价格

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型号： NTMFS4C05NT1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFS4C05NT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFS4C05NT1G价格参考。ON SemiconductorNTMFS4C05NT1G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载NTMFS4C05NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMFS4C05NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTMFS4C05NT1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，属于功率MOSFET器件，广泛应用于需要高效能功率转换和控制的场景。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优良的热稳定性，适用于中高功率应用。

 应用场景包括：

1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等，用于提高电源转换效率。
2. 电机控制：在电动工具、无人机、机器人等设备中作为开关元件，控制电机的启停与转速。
3. 汽车电子：用于车载电源系统、LED照明驱动、电池管理系统（BMS）等，满足汽车环境下的高可靠性要求。
4. 工业自动化：如PLC模块、工业电源、伺服驱动器等，实现对设备的高效能控制。
5. 消费类电子产品：用于笔记本电脑、电源适配器、充电器等设备中的功率开关和稳压电路。

该MOSFET采用表面贴装封装，便于自动化生产和散热设计，适合高密度电路布局。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
Id-ContinuousDrainCurrent	78 A
Id-连续漏极电流	78 A
品牌	ON Semiconductor
产品目录	半导体
描述	MOSFET T6 LC SO8FL
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMFS4C05NT1G
mouser_ship_limit	该产品可能需要其他文件才能进口到中国。
产品型号	NTMFS4C05NT1G
Pd-PowerDissipation	33 W
Pd-功率耗散	33 W
Qg-GateCharge	30 nC
Qg-栅极电荷	30 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	3.4 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	3.4 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 2.2 V
Vgs-栅源极击穿电压	2.2 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	2.2 V
Vgsth-栅源极阈值电压	2.2 V
上升时间	32 ns
下降时间	7 ns
产品种类	MOSFET
典型关闭延迟时间	21 ns
功率耗散	33 W
商标	ON Semiconductor
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	3.4 mOhms
封装	Reel
封装/箱体	SO-8FL
工厂包装数量	1500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
栅极电荷Qg	30 nC
正向跨导-最小值	68 S
汲极/源极击穿电压	30 V
漏极连续电流	78 A
系列	NTMFS4C05N
配置	Single
闸/源击穿电压	+/- 2.2 V