ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFP2907ZPBF
/IRFP2907ZPBF.jpg)
Datasheet下载- 型号： IRFP2907ZPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRFP2907ZPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP2907ZPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP2907ZPBF价格参考。International RectifierIRFP2907ZPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 75V 90A（Tc） 310W（Tc） TO-247AC。您可以下载IRFP2907ZPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFP2907ZPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRFP2907ZPBF是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。这款器件具有以下主要参数：电压耐受能力为55V，连续漏极电流高达148A（在特定结温条件下），并且具备低导通电阻（Rds(on)约为2.6mΩ）。基于这些特性，IRFP2907ZPBF适合应用于需要高效能功率切换和大电流处理的场景，具体应用场景包括但不限于以下几种： 1. 开关电源（SMPS）：该器件可用于开关电源中的功率转换级，例如降压或升压转换器中作为主开关管，提供高效的电能转换。 2. 电机驱动：由于其高电流承载能力和低导通损耗，IRFP2907ZPBF非常适合用于驱动直流电机或无刷直流电机（BLDC），特别是在工业自动化设备、家用电器及电动车领域。 3. 不间断电源（UPS）系统：在UPS系统的逆变器部分，这款MOSFET可以实现快速开关操作以生成稳定的交流输出波形。 4. 焊接设备：在某些焊接机中用作核心功率元件，确保能够输出强大的电流来完成高质量的焊接任务。 5. 电动汽车与混合动力汽车：此型号可能被用于车载充电器、DC-DC转换器以及牵引逆变器等组件内，支持车辆电气系统的高效运作。 6. 太阳能逆变器：将光伏板产生的直流电转化为可供家庭或电网使用的交流电时，这种高性能MOSFET有助于提高转换效率并减少能量损失。 总之，凭借其卓越的电气性能和可靠性，IRFP2907ZPBF广泛适用于各种需要处理大电流、追求高效率的电力电子应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 90A TO-247ACMOSFET MOSFT 75V 170A 4.5mOhm 180nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 170 A |
| Id-连续漏极电流 | 170 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFP2907ZPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFP2907ZPBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 310 W |
| Pd-功率耗散 | 310 W |
| Qg-GateCharge | 180 nC |
| Qg-栅极电荷 | 180 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 140 ns |
| 下降时间 | 100 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 270nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 毫欧 @ 90A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 其它名称 | *IRFP2907ZPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 97 ns |
| 功率-最大值 | 310W |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 25 |
| 正向跨导-最小值 | 180 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 90A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfp2907z.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfp2907z.spi |
| 配置 | Single |
