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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRL8113S由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRL8113S价格参考。International RectifierIRL8113S封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRL8113S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRL8113S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRL8113S的MOSFET,属于低电压、N沟道功率MOSFET。它常用于需要高效能与小型化设计的电源管理系统中。 该器件的主要应用场景包括: 1. DC-DC转换器:适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的电源模块,实现高效的电压调节。 2. 负载开关:用于控制电源路径,如在电池供电设备中实现不同功能模块的独立供电管理。 3. 电机驱动:适用于小型电机或风扇控制电路,提供快速开关能力和低导通电阻。 4. 热插拔应用:在服务器或存储设备中,用于支持带电插拔功能,防止电流冲击。 5. 电池管理系统(BMS):用于保护电路,控制充放电路径,确保电池使用安全。 6. LED照明驱动:作为开关元件,用于高频率调光或恒流控制电路中。 IRL8113S具备低导通电阻(Rds(on))、高效率、封装小巧等优点,适合高频开关操作和节能设计,在消费电子、工业控制及汽车电子等领域均有广泛应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRL8113S |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.25V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2840pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6 毫欧 @ 21A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | *IRL8113S |
功率-最大值 | 110W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 105A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irl8113sl.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irl8113sl.spi |