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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN3010LSS-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN3010LSS-13价格参考。Diodes Inc.DMN3010LSS-13封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMN3010LSS-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN3010LSS-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN3010LSS-13是一款N通道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS): DMN3010LSS-13适用于开关模式电源中的功率开关或同步整流器,能够提供高效的电流切换和较低的导通电阻(Rds(on)),从而减少功率损耗。 2. 负载开关: 该器件常用于便携式设备中的负载开关应用,例如手机、平板电脑和其他消费电子产品。它能够快速开启或关闭负载电流,同时保持低功耗。 3. 电机驱动: 在小型电机驱动电路中,DMN3010LSS-13可以用作驱动信号的开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。 4. 电池管理: 该MOSFET适合用于锂电池保护电路,能够防止过充、过放或短路等问题。它的低导通电阻特性有助于降低电池系统的能耗。 5. 信号电平转换: 在需要不同电压电平之间进行信号转换的电路中,DMN3010LSS-13可以作为开关元件,实现高效且稳定的电平转换。 6. 音频放大器: 该器件可用于D类音频放大器中的开关元件,帮助实现高效率的音频信号放大。 7. LED驱动: DMN3010LSS-13适用于LED背光驱动或恒流驱动电路,能够精确控制LED亮度并确保稳定性。 8. 通信设备: 在无线通信模块或物联网设备中,这款MOSFET可用作电源管理或信号切换元件,支持低功耗运行。 总之,DMN3010LSS-13凭借其出色的性能参数(如低Rds(on)、小封装尺寸和高频率工作能力),非常适合用于便携式设备、消费电子、工业控制和通信领域的各种应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOICMOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 30V 16A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 16 A |
| Id-连续漏极电流 | 16 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN3010LSS-13- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMN3010LSS-13 |
| PCN其它 | |
| Pd-PowerDissipation | 2500 mW |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 27 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2096pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43.7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9 毫欧 @ 16A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOP-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 16A (Ta) |
| 系列 | DMN3010 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |