Datasheet下载- 型号： ZVP2110GTA
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVP2110GTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVP2110GTA价格参考。Diodes Inc.ZVP2110GTA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZVP2110GTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVP2110GTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZVP2110GTA是一款P沟道增强型MOSFET，常用于低电压、低功率的开关应用。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于电池供电设备中的电源开关，如便携式电子产品、移动电源等，具有低导通电阻和低功耗特性。 2. 负载开关：用于控制小型负载的通断，如LED驱动、小型电机或继电器的控制电路中。 3. 信号切换：在模拟或数字电路中作为信号路径的开关元件，适用于通信设备或传感器接口电路。 4. 逆变与转换电路：用于DC-DC转换器或电压反向电路中，实现电压转换功能。 5. 保护电路：用于过流或过压保护电路中，作为控制元件实现电路的安全保护功能。 ZVP2110GTA采用小型封装，适合空间受限的设计，具备良好的热稳定性和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制及通信设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 310MA SOT223MOSFET P-Chnl 100V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 310 mA |
| Id-连续漏极电流 | - 310 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVP2110GTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZVP2110GTA |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8 欧姆 @ 375mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | ZVP2110GTR |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 8 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 100 V |
| 漏极连续电流 | - 310 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 310mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
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