Datasheet下载- 型号： SQ3418EEV-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SQ3418EEV-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SQ3418EEV-T1-GE3价格参考。VishaySQ3418EEV-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SQ3418EEV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SQ3418EEV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SQ3418EEV-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效功率控制的电子电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热稳定性的特点，适用于多种电源管理和负载开关应用场景。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于 DC-DC 转换器、同步整流器和电源开关电路中，以提高转换效率并减少功率损耗。 2. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑和手持设备中，作为负载开关或电池保护电路的一部分，实现对电流流向的控制。 3. 电机控制：在小型电机驱动电路中用于控制电机的启停与方向切换。 4. 负载开关：用于控制高功率负载的通断，例如 LED 照明、加热元件或风扇等。 5. 汽车电子：适用于车载电源系统、车载充电器及电池管理系统中，具备良好的可靠性和稳定性。 该 MOSFET 采用小型封装，适合高密度 PCB 设计，适合用于对空间和效率要求较高的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOPMOSFET 40V 8A 5W N-Ch Automotive |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
| Id-连续漏极电流 | 8 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SQ3418EEV-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SQ3418EEV-T1-GE3SQ3418EEV-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 5 W |
| Pd-功率耗散 | 5 W |
| Qg-GateCharge | 7.1 nC |
| Qg-栅极电荷 | 7.1 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 32 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 32 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 8 nS |
| 下降时间 | 7 nS |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 660pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 32 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SQ3418EEV-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 15 nS |
| 功率-最大值 | 5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/vishay-siliconix-sq-series-mosfet/1181 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Tc） |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SQ3418EEV-GE3 |
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