Datasheet下载- 型号： FQAF6N90
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQAF6N90由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQAF6N90价格参考。Fairchild SemiconductorFQAF6N90封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQAF6N90参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQAF6N90 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQAF6N90是安森美（ON Semiconductor）生产的一款高压N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管器件。该器件额定电压为900V，适合高电压、中等电流的应用场景，广泛用于需要高效能和高可靠性的电源系统中。 典型应用场景包括：开关电源（SMPS），如电视、显示器、打印机等消费类电子设备的电源适配器；工业电源模块；LED照明驱动电源，尤其适用于高亮度LED路灯或商业照明系统；此外，也常用于高压DC-DC转换器和待机电源电路中。 FQAF6N90具备低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性，有助于提升系统效率并减少能量损耗。其高压耐受能力使其在电网波动较大的环境中仍能稳定运行，因此也适用于部分工业控制和电力设备中的功率控制环节。 由于采用先进的平面栅极工艺和TO-220F或类似封装，该器件具有良好的散热性能和电气隔离特性，增强了系统的安全性和可靠性。综合来看，FQAF6N90是一款适用于中高功率、高压环境下的高效MOSFET，特别适合对能效和稳定性要求较高的电源设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 4.5A TO-3PF |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQAF6N90 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1880pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 52nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.9 欧姆 @ 2.3A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-3PF |
| 功率-最大值 | 96W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | SC-94 |
| 标准包装 | 360 |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Tc） |
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