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Datasheet下载- 型号： IRF8788TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRF8788TRPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF8788TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF8788TRPBF价格参考。International RectifierIRF8788TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 30V 24A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO。您可以下载IRF8788TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF8788TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF8788TRPBF 是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于需要高效开关和功率控制的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC电源模块中，因其低导通电阻（RDS(on)）和高效率，有助于减少能量损耗，提升电源整体效率。 2. 电机驱动：适用于小型电机控制，如家用电器（洗衣机、风扇）、电动工具和工业自动化设备中的H桥或半桥驱动电路，可实现快速开关和精确控制。 3. 照明系统：在LED驱动电源中作为开关元件，支持恒流输出与调光功能，适用于商业和工业LED照明应用。 4. 消费电子：用于笔记本电脑、显示器、充电器等设备的电源部分，满足高密度、小型化和节能的设计需求。 5. 汽车电子：虽然非车规级型号需谨慎使用，但在部分车载辅助电源、车载充电器或车灯控制模块中也有应用，前提是工作环境符合其温度范围要求。 IRF8788TRPBF采用TO-252（DPAK）封装，便于散热和安装，适合中等功率应用。其高可靠性与成熟工艺使其在工业与消费领域广受欢迎。使用时需注意栅极驱动电压匹配及热管理设计，以确保稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| Ciss-输入电容 | 5.72 nF |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 24A SO-8MOSFET MOSFT 30V 24A 2.8mOhm 44nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 24 A |
| Id-连续漏极电流 | 24 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF8788TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF8788TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 44 nC |
| Qg-栅极电荷 | 44 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.04 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.8 V |
| 上升时间 | 24 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5720pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 66nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.8 毫欧 @ 24A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF8788TRPBFCT |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 3.8 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 44 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 95 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 24 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 24A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf8788.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf8788.spi |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
