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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF9N50CF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF9N50CF价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF9N50CF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQPF9N50CF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF9N50CF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF9N50CF 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于各类电力电子设备中。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好热稳定性的特点,适合用于中高功率的开关应用。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:如AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)中作为主开关或同步整流开关使用。 2. 电机驱动:在直流电机控制、步进电机驱动器或电动工具中作为功率开关元件。 3. 逆变器与转换器:用于DC-DC转换器、UPS不间断电源或太阳能逆变系统中进行高效能量转换。 4. 照明系统:如LED驱动电源中用于调节电流或作为高频开关使用。 5. 家电控制:在家用电器如洗衣机、空调、电磁炉等产品中用于负载开关控制。 由于其内置快速恢复二极管(FRED),FQPF9N50CF特别适用于需要软恢复特性的高频开关电路,有助于减少开关损耗和电磁干扰(EMI)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 9A TO-220FMOSFET N-CH/500V/9A/ QFET C-Series |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9 A |
| Id-连续漏极电流 | 9 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQPF9N50CFFRFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQPF9N50CF |
| Pd-PowerDissipation | 44 W |
| Pd-功率耗散 | 44 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 850 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 850 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 65 ns |
| 下降时间 | 64 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1030pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 850 毫欧 @ 4.5A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 其它名称 | FQPF9N50CF-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 93 ns |
| 功率-最大值 | 44W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 6.5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9A (Tc) |
| 系列 | FQPF9N50C |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |