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  • 型号: RRF015P03TL
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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RRF015P03TL产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RRF015P03TL由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RRF015P03TL价格参考¥0.98-¥1.32。ROHM SemiconductorRRF015P03TL封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 1.5A(Ta) 320mW(Ta) TUMT3。您可以下载RRF015P03TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RRF015P03TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

RRF015P03TL 是由 Rohm Semiconductor 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。以下是该型号的主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS):RRF015P03TL 具有低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力,适用于开关电源中的功率开关。
   - DC-DC 转换器:可用于降压或升压转换器中的主开关或同步整流器,提高效率并减少能量损耗。
   - 负载开关:在便携式设备中用于动态开启/关闭负载,降低功耗。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:适用于驱动小型风扇、玩具电机或其他低功率直流电机。
   - H 桥电路:作为 H 桥的一部分,用于实现电机的正转、反转和制动功能。

 3. 电池管理
   - 电池保护电路:用于锂离子电池或镍氢电池组的过充、过放保护电路中,充当电子开关。
   - 电量检测:通过精确控制电流流动,支持电池电量监测和管理系统。

 4. 信号切换
   - 音频信号切换:在音频设备中用作信号路径选择开关,避免信号失真。
   - 传感器信号切换:在多传感器系统中,用于选择不同的输入信号。

 5. 汽车电子
   - 车灯控制:用于控制 LED 灯条或卤素灯泡的开关。
   - 车载音响系统:作为功率放大器的一部分,提供高效的信号传输。
   - 电动车窗和雨刷控制:驱动小型电机或执行机构。

 6. 工业应用
   - 继电器替代:由于其快速开关特性和长寿命,可替代传统机械继电器。
   - 加热元件控制:用于控制电阻丝或其他加热元件的工作状态。

 7. 消费电子产品
   - 笔记本电脑和移动设备:用于电源管理模块,确保高效能和低发热。
   - USB 充电端口保护:防止过流或短路,保护设备安全。

RRF015P03TL 的低导通电阻和高可靠性使其成为许多需要高效功率切换和控制的应用的理想选择。具体使用时需根据实际电路设计需求,结合其电气参数(如最大漏源电压、连续漏极电流等)进行选型和优化。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3MOSFET Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

1.5 A

Id-连续漏极电流

1.5 A

品牌

ROHM Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RRF015P03TL-

mouser_ship_limit

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数据手册

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产品型号

RRF015P03TL

Pd-PowerDissipation

0.8 W

Pd-功率耗散

800 mW

Qg-GateCharge

6.4 nC

Qg-栅极电荷

6.4 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

115 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

115 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

8 ns

下降时间

13 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

230pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

6.4nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

160 毫欧 @ 1.5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TUMT3

其它名称

RRF015P03TLCT

典型关闭延迟时间

40 ns

功率-最大值

320mW

包装

剪切带 (CT)

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

3-SMD,扁平引线

封装/箱体

TUMT-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

1.2 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.5A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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