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产品简介:
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NVTFS4C25NTAG 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款增强型功率MOSFET,属于N沟道MOSFET。该器件广泛应用于需要高效、高可靠性的电源管理系统中。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路,用于提高电源效率和减小系统功耗。 2. 电池供电设备:常见于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子产品中,作为高效能开关元件使用。 3. 电机控制:可用于小型电机驱动电路中,实现对电机速度与方向的精确控制。 4. 汽车电子系统:如车载充电系统、车身控制模块等,得益于其良好的热稳定性和可靠性,适合在复杂环境中运行。 5. 工业自动化:在PLC、传感器模块及其他工业控制系统中,用作高效的功率开关器件。 该MOSFET具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压和良好热性能的特点,适合高频开关应用,有助于减小外围电路体积并提升整体效率。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 27A U8FL |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NVTFS4C25NTAG |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 500pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 17 毫欧 @ 10A,10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10.1A (Ta), 22.1A (Tc) |