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产品简介:
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ZXMP3F35N8TA是Diodes Incorporated生产的一款N沟道MOSFET,属于低压、高效率功率开关器件。该型号广泛应用于便携式电子设备和电池供电系统中,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑及移动电源等,主要用于电源管理与负载开关控制。其低导通电阻(RDS(on))和小封装(如SOT-23)特性,有助于降低功耗并节省电路板空间,适合对能效和尺寸要求较高的场景。 此外,该MOSFET常用于DC-DC转换器、电压调节模块(VRM)、电机驱动以及各类低电压开关电路中,支持高效能量转换。在热插拔电路和过流保护设计中也发挥着重要作用,可实现快速开关与电流控制。由于具备良好的栅极驱动兼容性,ZXMP3F35N8TA能与常见逻辑电平信号匹配,适用于数字控制的开关应用。 总体而言,该器件适用于需要小型化、低功耗和高可靠性的消费电子、工业控制和通信设备中,是现代电子系统中理想的功率开关选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | Diodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | ZXMP3F35N8TA |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.6V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4600pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 77.1nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 12 毫欧 @ 12A,10V |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | ZXMP3F35N8TADI |
功率-最大值 | 1.56W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 500 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.3A (Ta) |