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Datasheet下载- 型号： STB20NM50FDT4
- 制造商： STMicroelectronics
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STB20NM50FDT4产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB20NM50FDT4由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB20NM50FDT4价格参考。STMicroelectronicsSTB20NM50FDT4封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 500V 20A（Tc） 192W（Tc） D2PAK。您可以下载STB20NM50FDT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB20NM50FDT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STB20NM50FDT4是一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于需要高效功率管理的场合。其主要应用场景包括： 1. 电源转换器：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS），适用于工业设备、服务器和通信系统中的高效能电源模块。 2. 电机控制：用于无刷直流电机（BLDC）驱动、步进电机控制器以及电动工具、无人机等设备中的功率控制部分。 3. 负载开关与继电器替代：在自动控制系统中作为高速电子开关使用，替代传统机械继电器，提升可靠性和寿命。 4. 照明系统：应用于LED路灯、工业照明或汽车照明中的调光与电源控制电路。 5. 电池管理系统（BMS）：用于电动汽车、储能系统或便携式设备中对电池充放电过程进行高效控制。 该器件具有低导通电阻、高耐压（500V）、封装小巧等特点，适合高频开关应用，有助于提高系统效率并减小整体尺寸。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | STB20NM50FDT4 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | FDmesh™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1380pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 53nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 250 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-6191-2 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF67113?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 192W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
