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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4302-1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4302-1G价格参考。ON SemiconductorNTD4302-1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTD4302-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD4302-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4302-1G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于中低功率开关应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等电源管理电路,具备低导通电阻和高效率特点,有助于提高电源转换效率。 2. 电机控制:在小型电机驱动电路中作为开关元件使用,适用于电动工具、风扇、泵类等设备的控制模块。 3. 电池供电设备:常见于笔记本电脑、平板、移动电源等便携设备中,用于电池充放电管理及电源切换。 4. 工业自动化:用于PLC、传感器模块、继电器驱动等工业控制系统中,实现信号与功率的切换控制。 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、LED照明驱动、车载充电器等场景,满足汽车电子对可靠性和稳定性的要求。 该器件采用TSOP封装,体积小、散热性能好,适合高密度PCB布局,广泛应用于消费电子、工业控制及汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 8.4A IPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTD4302-1G |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 24V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10 毫欧 @ 20A,10V |
供应商器件封装 | I-Pak |
功率-最大值 | 1.04W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
标准包装 | 75 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8.4A (Ta), 68A (Tc) |