Datasheet下载- 型号： NTB6410ANG
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTB6410ANG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB6410ANG价格参考。ON SemiconductorNTB6410ANG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTB6410ANG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTB6410ANG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTB6410ANG是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效、低导通电阻和良好热性能的电源管理场景。其主要应用场景包括： 1. 电源转换系统：常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器中，作为主开关器件，实现高效率的能量转换，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块。 2. 电机驱动：在小型电机控制电路中，如无人机、电动工具和家用电器中，NTB6410ANG可作为驱动开关，提供快速响应和低功耗运行。 3. 负载开关与电源管理：适用于电池供电设备中的电源通断控制，如便携式设备（智能手机、平板电脑）中的负载开关，帮助降低待机功耗，提升能效。 4. 逆变器与LED驱动：可用于小功率逆变器或LED照明驱动电路，实现稳定电流输出和高效开关操作。 该器件具有低栅极电荷和低导通电阻（RDS(on)），有助于减少开关损耗和传导损耗，提升整体系统效率。同时，采用DPAK封装，具备良好的散热性能，适合在紧凑空间内进行高密度布局。NTB6410ANG因其可靠性和高性能，广泛服务于工业控制、消费电子和通信基础设施等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 76A D2PAKMOSFET NFET D2PAK 100V 76A 13MOH |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 76 A |
| Id-连续漏极电流 | 76 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTB6410ANG- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTB6410ANG |
| Pd-PowerDissipation | 188 W |
| Pd-功率耗散 | 188 W |
| Qg-GateCharge | 120 nC |
| Qg-栅极电荷 | 120 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 11 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 上升时间 | 170 ns |
| 下降时间 | 190 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 120nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13 毫欧 @ 76A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 典型关闭延迟时间 | 120 ns |
| 功率-最大值 | 188W |
| 功率耗散 | 188 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 11 mOhms |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 120 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 40 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 76 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 76A （Tc） |
| 系列 | NTB6410AN |
| 配置 | Single |
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