Datasheet下载- 型号： STP165N10F4
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP165N10F4由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP165N10F4价格参考。STMicroelectronicsSTP165N10F4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STP165N10F4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP165N10F4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STP165N10F4是一款N沟道增强型MOSFET，具有高耐压、低导通电阻和高电流承载能力的特点，适用于多种功率电子系统。该器件的漏源电压（VDS）为100V，连续漏极电流可达165A，适合用于高效率、高功率密度的电源转换系统。 该MOSFET广泛应用于以下场景： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等，用于提高电源转换效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动：适用于工业自动化设备、电动工具、电动车等电机控制电路，提供快速开关和高可靠性。 3. 逆变器与变频器：用于UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、变频空调等系统中，实现高效的电能转换。 4. 电池管理系统（BMS）：在电动汽车、储能系统中作为充放电控制开关，具备良好的热稳定性和过载能力。 5. 工业控制与自动化：作为高频开关元件用于PLC、伺服驱动器等工业控制设备中，提升系统响应速度与稳定性。 该器件采用TO-220或D²PAK等封装形式，便于散热和安装，适合在中高功率应用中使用。其低栅极电荷（Qg）和导通电阻（Rds(on)）使其在高频开关应用中表现优异，有助于降低开关损耗，提高系统效率。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 120A TO-220MOSFET N-Ch 100V 4.1 160A STripFET DeepGATE |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 120 A |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP165N10F4DeepGATE™， STripFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP165N10F4 |
| Pd-PowerDissipation | 315 W |
| Pd-功率耗散 | 315 W |
| Qg-GateCharge | 192 nC |
| Qg-栅极电荷 | 192 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 4 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 4 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 180nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.5 毫欧 @ 60A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 497-10710-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF223330?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 315W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 5.5 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 120 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
| 系列 | STP165N10F4 |
| 配置 | Single |
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