Datasheet下载- 型号： IRF6612TR1
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6612TR1由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6612TR1价格参考。International RectifierIRF6612TR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF6612TR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6612TR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRF6612TR1的晶体管属于FET（场效应晶体管）中的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），是一种单管配置的功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效能、高频率和高可靠性的电子系统中。 IRF6612TR1的主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效电源系统。 2. 电机控制：在无刷直流电机（BLDC）驱动器、电动工具、无人机和工业自动化设备中，作为开关元件控制电机的运行。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电动汽车（EV）、电动自行车和储能系统中，实现电池充放电管理和保护功能。 4. 消费电子产品：如智能手机充电器、平板电脑和电源适配器中，用于提高转换效率和减小体积。 5. 工业应用：包括工业电源、照明系统（如LED驱动器）以及自动化控制系统中的开关元件。 该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高频率响应和良好的热稳定性，适合高频开关操作和节能设计，是现代电子系统中实现高效能功率控制的重要组件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF6612TR1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.25V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3970pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.3 毫欧 @ 24A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MX |
| 其它有关文件 | |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MX |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 24A （Ta）， 136A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6612.spi |
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