Datasheet下载- 型号： IXFH15N100Q
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH15N100Q由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH15N100Q价格参考。IXYSIXFH15N100Q封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFH15N100Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFH15N100Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFH15N100Q是一款高压N沟道MOSFET，属于晶体管中的功率场效应管（MOSFET），具有1000V的高漏源击穿电压和15A的连续漏极电流能力。该器件采用先进的平面栅极工艺制造，具备优良的开关性能、高耐压能力和良好的热稳定性。 IXFH15N100Q主要适用于高电压、中等功率的电力电子应用场合。典型应用场景包括： 1. 高压电源系统：如工业用开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC整流电源，适用于需要高电压隔离和稳定输出的设备。 2. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）和太阳能逆变器中用于直流到交流的电能转换，其高耐压特性适合处理高压母线电压。 3. 电机驱动：用于工业电机控制、感应加热设备和高压风扇驱动，可在高电压环境下实现高效开关控制。 4. 脉冲功率系统：如激光电源、电容放电电路和高压脉冲发生器，利用其快速开关响应能力进行精确能量释放。 5. 工业与医疗设备：应用于X射线电源、静电除尘、高压测试仪器等需要稳定高压工作的专业设备。 该MOSFET通常配合合适的驱动电路和散热设计使用，以确保在高电压、大电流条件下可靠运行。其坚固的封装（如TO-247）有助于良好散热，提升系统整体可靠性。总之，IXFH15N100Q广泛用于对耐压和稳定性要求较高的工业及电力电子领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXFH15N100Q |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 170nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 700 毫欧 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | TO-247AD （IXFH） |
| 功率-最大值 | 360W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A （Tc） |
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