Datasheet下载- 型号： 3LN01M-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供3LN01M-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3LN01M-TL-E价格参考。ON Semiconductor3LN01M-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载3LN01M-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有3LN01M-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V .15AMOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 150 mA |
| Id-连续漏极电流 | 150 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | http://www.onsemi.com/PowerSolutions/product.do?id=3LN01M |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor 3LN01M-TL-E* |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 3LN01M-TL-E |
| Pd-PowerDissipation | 0.15 W |
| Pd-功率耗散 | 150 mW |
| Qg-GateCharge | 1.58 nC |
| Qg-栅极电荷 | 1.58 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.9 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.9 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 65 ns |
| 下降时间 | 120 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 155 ns |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | MCPH-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 系列 | 3LN01M |
| 配置 | Single |
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