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详细数据请看参考数据手册
- 型号： TK35S04K3L(T6L1,NQ
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK35S04K3L(T6L1,NQ由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK35S04K3L(T6L1,NQ价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK35S04K3L(T6L1,NQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK35S04K3L(T6L1,NQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK35S04K3L(T6L1,NQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TK35S04K3L(T6L1,NQ) 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌 MOSFET，属于 N 沟道功率 MOSFET，广泛应用于以下场景： 该器件具备低导通电阻（Rds(on)）、高效率和良好热性能，适用于需要高效能和小型化设计的电源系统。典型应用包括： 1. DC-DC 转换器：用于通信设备、服务器和工业控制系统的电源模块中，实现高效的电压转换。 2. 负载开关与电源管理：在电池供电设备如笔记本电脑、平板和智能手机中作为电源开关使用，以降低功耗并提高系统效率。 3. 电机驱动电路：用于电动工具、家用电器中的小型电机控制，提供快速开关响应和较低的能量损耗。 4. 同步整流器：在高效率 AC-DC 电源适配器或充电器中替代传统二极管，提升整体能效。 5. 汽车电子系统：如车载充电系统、车身控制模块等对可靠性和空间布局有要求的应用。 其采用的小型封装（如 TSMP6 封装）使其适合高密度 PCB 设计，适用于便携式电子产品和紧凑型电源设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK35S04K3L点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TK35S04K3L(T6L1,NQ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1370pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10.3 欧姆 @ 17.5A，10V |
| 供应商器件封装 | DPAK+ |
| 其它名称 | TK35S04K3L(T6L1NQ |
| 功率-最大值 | 58W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Ta） |
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