Datasheet下载- 型号： STF32NM50N
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STF32NM50N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF32NM50N价格参考。STMicroelectronicsSTF32NM50N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STF32NM50N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STF32NM50N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STF32NM50N 是 STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款 N 沱增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。该型号的主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS） STF32NM50N 适用于开关电源设计，例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。其低导通电阻（Rds(on) 典型值为 320 mΩ）和高击穿电压（500 V）使其能够在高压环境下高效工作，适合用于电源适配器、充电器和工业电源。 2. 电机驱动 在电机控制应用中，STF32NM50N 可用作功率开关来驱动直流电机或步进电机。它能够承受较高的电压和电流波动，适合应用于家用电器（如风扇、洗衣机）、电动工具和小型工业设备的电机控制。 3. 逆变器 该器件适用于光伏逆变器或 UPS（不间断电源）系统中的功率转换部分。其高耐压特性和良好的开关性能使其能够稳定地处理逆变器中的高频开关操作。 4. 负载开关和保护电路 在需要高电压保护的应用中，STF32NM50N 可作为负载开关使用，例如在汽车电子、工业自动化设备或消费电子产品中实现过流保护、短路保护等功能。 5. LED 驱动器 对于高亮度 LED 照明系统，STF32NM50N 可用于恒流驱动电路中，确保 LED 的亮度稳定并提供高效的功率管理。 6. 电池管理系统（BMS） 在电池组的充放电管理中，STF32NM50N 可用作电池开关，控制电池的充放电路径，同时提供过压、过流保护功能。 总结来说，STF32NM50N 凭借其高耐压、低导通电阻和优秀的开关特性，广泛应用于各种高电压、大电流场景下的功率转换和控制领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N CH 500V 22A TO-220FPMOSFET N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II MOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 22 A |
| Id-连续漏极电流 | 22 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF32NM50NMDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STF32NM50N |
| Pd-PowerDissipation | 35 W |
| Pd-功率耗散 | 35 W |
| Qg-GateCharge | 62.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 62.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 130 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 130 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 9.5 ns |
| 下降时间 | 23.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1973pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 62.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 130 毫欧 @ 11A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | 497-13266-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF253999?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 110 ns |
| 功率-最大值 | 35W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 130 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 500 V |
| 漏极连续电流 | 22 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 22A （Tc） |
| 系列 | STF32NM50N |
| 配置 | Single |
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