Datasheet下载- 型号： SI4666DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4666DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4666DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4666DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4666DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4666DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4666DY-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效功率控制的场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热性能，适用于负载开关、电源管理、电池供电设备及 DC-DC 转换器等应用。 常见应用场景包括： 1. 电源管理系统：用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机中，实现对不同模块的高效供电控制。 2. 负载开关电路：在服务器、通信设备和工业控制系统中，作为电子开关控制外设或模块的通断。 3. 电池供电设备：因其低功耗特性，适合用于便携式设备中的电源切换与节能设计。 4. DC-DC 转换器与稳压模块：用于同步整流或高频开关，提高转换效率。 5. 电机驱动与继电器替代：在小型电机控制或固态继电器设计中提供快速响应和高可靠性。 该 MOSFET 采用小型封装（如 TSOP），节省空间且易于集成，适合高密度 PCB 设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOICMOSFET 25 Volts 16.5 Amps 5 Watts |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 16.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 16.5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4666DY-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4666DY-T1-GE3SI4666DY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 5 W |
| Pd-功率耗散 | 5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 10 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1145pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4666DY-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16.5A （Tc） |
| 零件号别名 | SI4666DY-GE3 |
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