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Datasheet下载- 型号： IRFU4620PBF
- 制造商： International Rectifier
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IRFU4620PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFU4620PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFU4620PBF价格参考。International RectifierIRFU4620PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 200V 24A（Tc） 144W（Tc） IPAK（TO-251）。您可以下载IRFU4620PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFU4620PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号 IRFU4620PBF 是一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的FET类别。该器件广泛应用于需要高效、高速开关性能的场合。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中，实现高效的电能转换，适用于通信设备、服务器电源系统等。 2. 电机控制：在直流电机、步进电机或无刷电机的驱动电路中作为功率开关，常见于工业自动化、机器人和电动工具中。 3. 负载开关与继电器替代：因其快速开关能力和低导通电阻，可用于替代传统机械继电器，在家电、汽车电子中实现更可靠的负载控制。 4. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）或逆变器中用于将直流电转换为交流电，适用于储能系统和太阳能逆变设备。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、车身控制模块（如车窗、座椅调节）等，满足汽车环境对可靠性和耐温性的要求。 该MOSFET具有较高的耐用性和热稳定性，适合在中高功率应用中使用，尤其适合需要紧凑设计和高效能的电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 24A IPAKMOSFET MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 24 A |
| Id-连续漏极电流 | 24 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFU4620PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFU4620PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 144 W |
| Pd-功率耗散 | 144 W |
| Qg-GateCharge | 25 nC |
| Qg-栅极电荷 | 25 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 78 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 78 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 22.4 ns |
| 下降时间 | 14.8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1710pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 78 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 25.4 ns |
| 功率-最大值 | 144W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 78 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 正向跨导-最小值 | 37 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 24 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 24A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
