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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BS170_L34Z
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BS170_L34Z由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BS170_L34Z价格参考。Fairchild SemiconductorBS170_L34Z封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BS170_L34Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BS170_L34Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的BS170_L34Z是一款N沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的单MOSFET器件。该型号广泛应用于低电压、低功率的开关与信号控制场景。 典型应用场景包括：电源管理开关，如电池供电设备中的负载开关，用于控制电源通断以降低功耗；在便携式电子设备（如智能仪表、小型传感器模块、无线传感器节点）中作为驱动LED、继电器或小型电机的开关元件；还可用于逻辑电平转换电路，实现不同电压域之间的信号兼容，例如将3.3V微控制器信号转换为5V系统可识别的信号。 此外，BS170_L34Z因其快速开关特性，适用于高频开关电路，如DC-DC转换器中的同步整流或小功率电源模块。其低栅极电荷和导通电阻使其在节能设计中表现出色，适合对能效要求较高的应用。 由于采用TO-92封装，体积小巧，便于在空间受限的PCB布局中使用，常见于消费类电子产品、工业控制电路、家用电器控制板以及教育类电子套件中。 总之，BS170_L34Z是一款高性价比、可靠性强的通用N沟道MOSFET，适用于中小功率开关控制，特别适合注重成本与稳定性的低功耗应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BS170_L34Z |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 40pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 欧姆 @ 200mA，10V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 830mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 500mA （Ta） |
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